.RU

Исследование электронных состояний в низкоразмерных структурах на основе GaAs/GaAsP


МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ

РЕСПУБЛИКИ МОЛДОВА

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ МОЛДОВЫ


На правах рукописи

УДК: 537.311+621.382


Коротков Александр Витальевич


Исследование электронных состояний в низкоразмерных структурах на основе GaAs/GaAsP


Специальность 01.04.10 – физика полупроводников и диэлектриков


А в т о р е ф е р а т

диссертации на соискание ученой степени

доктора физико-математических наук


Кишинев 2003
Работа выполнена на кафедре прикладной физики и информатики и в научно-исследовательской лаборатории физики полупроводников Государственного Университета Молдовы ^ Научные руководители:
Симашкевич А.В. Академик АН РМ, доктор хабилитат физ.-мат. наук,
профессор. Горя О. С. Доктор физ.-мат. наук, ведущий науч. сотрудник.

Официальные оппоненты:

Канцер В.Г. Академик АН РМ, доктор хабилитат физ.-мат. наук,
^ профессор. (АН Республики Молдова)
Тигиняну И.М. Доктор хабилитат физ.-мат. наук, профессор.

(Технический Университет Молдовы)


Ведущая организация:

Институт Физики Полупроводников Национальной Академии наук Украины, Киев,

просп. Науки 45, Украина.


Защита состоится 21 марта 2003г. в 14.00 часов на заседании Специ­ализированного Совета DH-01.92.16 при Государственном Университете Республики Молдова по адресу: ул. А.Матеевича, 60, MD2009, Кишинев.


С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Государственного Университета Республики Молдова.


Автореферат разослан “__”____________2003 г.


Ученый секретарь

Специализированного Совета,
^ Доктор хабилитат физико-математических наук Д. А. Шербан


ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ
Актуальность темы. Переход современной электроники на новый этап развития в значительной степени базируется на низкоразмерных структурах, таких как сверхрешетки (СР), квантовые ямы (QW), квантовые нити и квантовые точки, выращиваемых на основе полупроводниковых материалов и являющихся сегодня главным объектом исследований в физике полупроводников.

Сверхрешетками принято называть твердотельные структуры, в которых помимо периодического потенциала кристаллической решетки, на электроны действует допол­нительный одномерный периодический потенциал, но с периодом, значительно превыша­ющим постоянную решетки. Практический интерес к полупроводниковым сверхрешеткам возник в 1970 году в связи с развитием новых технологий выращивания тонких слоев. В работе Есаки и Тсу [1], опубликованной в 1970г., исследовались процессы электронного переноса в структурах с дополнительным периодическим потенциалом (с периодом порядка нескольких постоянных кристаллической решетки), создававшимся либо леги­рованием, либо изменением состава полупроводниковых материалов. В структурах такого типа происходит расщепление параболических зон в минизоны, разделенные малыми запрещенными энергетическими зонами. При этом зона Бриллюэна определяется периодом струк­туры. Еще раньше, в 1962 году идея создания дополнительного периодического потен­ци­ала была выдвинута в работе Л.Келдыша [2], где рассматривался потенциал, создавав­шийся на поверхности полупроводника полем ультразвуковой волны большой интенсивности.

СР представляют собой новый тип полупроводников, который характеризуется наличием большого числа зон, обладающих очень сильной анизотропией [3, 4] (они практически двумерны). Концентрация электронов и дырок в СР не является фиксированным параметром, определяемым только легированием, а представляет собой легко пере­страиваемую величину. Наличие периодического потенциала у СР существенно меняет энергетический спектр структуры, благодаря чему СР обладают рядом интересных свойств, которые отсутствуют у обычных полупроводников. Пара­метры потенциала СР можно легко изменять в широких пределах, что в свою очередь приводит к существенным изменениям энергетического спектра.

Использование методов газофазной, молекулярно-пучковой и жидкофазной эпитаксий позволяет получать реальные низкоразмерные структуры как для фундаментальных исследований, так и для важных применений в полупроводниковых приборах (инжекционные лазеры, транзисторы с двумерным электронным газом, резонансно-туннельные диоды, электрооптические приборы, фотодетекторы в ИК области).

Теоретическому расчету электронных состояний в низкоразмерных структурах уделяется достаточно большое внимание. При этом структура обыкновенно либо предполагается бесконечной, что физически соответствует пренебрежению граничными эффектами, либо рассматриваются отдельные квантовые ямы. Между тем, в реальных низкоразмерных структурах нельзя исключить влияния на электронный спектр внешних границ, качество которых определяется технологическими условиями выращивания образцов. Работ, посвященных изучению электронных состояний в ограниченных СР, опубликовано мало. Например, в теоретических работах [5,6], рассматривается только одна граница (так называемые полубесконечные СР). Актуальным в связи с этим является развитие теоретического подхода и вывод дисперсионного соотношения для электронов в реальных ограниченных низкоразмерных структурах. При этом интерес представляют как образцы одиночных СР так и образцы, состоящие из контакта двух СР, выращенных последовательно одна на другой.

Первые экспериментальные исследования структур со СР были проведены с образцами GaAs1-xPx/GaAs. Однако, в связи со значительным несоответствием постоянных решеток материалов слоев (до 7%), слои деформируются, и в них присутствуют напряжения. На данный момент не существует общей модели, способной адекватно описать экспериментальные результаты, получаемые в различных типах низкоразмерных структур на основе этих материалов. В СР с напряженными слоями напряжения в решетке можно рассматривать в качестве дополнительной степени свободы. Варьируя толщины и составы слоев, можно изменять фундаментальные параметры СР. В связи с этим актуальным является экспериментальное изучение и теоретический расчет разрешенных электронных состояний и параметров энергетических диаграмм реальных низкоразмерных структур с напряженными слоями на основе GaAs1-xPx/ GaAs1-yPy.

Экспериментальное изучение электронных состояний в реальных низкоразмерных структурах требует применения оптических методов, способных выявлять электронные переходы не только между нижними электронными и дырочными уровнями и минизонами, но и между более высокими. Для этих целей подходят такие методы модуляционной спектроскопии как бесконтактное электроотражение (CER) и пьезоотражение(PzR), регистрирующие высокоэнергетические электронные состояния. Для определения параметров состояний вблизи краев зон важную информацию удается получать при применении таких методов люминесцентной спектроскопии как стационарная (ФЛ), разрешенная во времени фотолюминесценция (ВРФЛ) и поляризованная фотолюминесценция (ПФЛ). Структура спектров отражает процессы взаимодействия в низкоразмерных структурах и позволяет определять энергетическую структуру зон.

Целью настоящей работы является комплексное экспериментальное (методами оптической спектроскопии) и теоретическое исследование электронных состояний в реальных низкоразмерных структурах (набор квантовых ям (MQW), сверхрешетки, гетероконтакт двух сверхрешеток (ГКСР)) на основе GaAs1-xPx/GaAs1-yPy и определение характерных параметров их зонной структуры. Для достижения этой цели решались следующие задачи:

  1. Дальнейшее развитие теории энергетического строения и пространственного распределения волновых функций в ограниченных низкоразмерных структурах (MQW, СР, ГКСР);

  2. Исследование кристаллической структуры, состава и влияния границы раздела сверхтонких пленок твердых растворов GaAs1-xPx, образующих низкоразмерные структуры;

  3. Установление взаимосвязи между теоретически рассчитанными и экспериментально полученными значениями энергий электронных состояний с параметрами изготовленных низкоразмерных структур (состав и толщина слоев, период, тип структуры), путем исследования оптических и излучательных свойств;

  4. Определение значения относительных разрывов зон (Qc=∆Ec/∆Eg) и параметров энергетических диаграмм для изученных MQW, СР и ГКСР, используя результаты выполненных экспериментальных и теоретических исследований.

Методологические теоретические и экспериментальные исследования в работе обеспечивались применением в расчетах приближения Кронига-Пени, используя метод мат­риц переноса [3,4]; получением универсальных дисперсионных соотношений, описывающих физическое состояние низкоразмерных структур разного типа, а также моделированием ис­следуемых процессов на ЭВМ и последующим сравнением с результатами экспери­ментальных измерений, проведенных с использованием современных методов оптической спектроскопии [7], используемых для диагностики квантоворазмерных структур.

Научная новизна выполненной работы, состоит в том, что в ней впервые проведено комплексное экспериментальное (методами оптической спектроскопии) и теоретическое исследование электронных состояний в реальных низкоразмерных структурах (MQW, СР, ГКСР) на основе GaAs1-xPx/GaAs1-yPy, полученных модифицированным газотранспортным хлоридным методом, которое заключается в следующем:

  1. Теоретически рассчитано поведение электронных состояний в ограниченных сверхрешетках и показана необходимость учета ограниченности СР, приводящая к появлению в области запрещенных минизон для бесконечных СР разрешенных электронных состояний с таммо-подобной волновой функцией, локализованной в первых слоях СР.

  2. Установлена релаксация механических напряжений с преобладанием заметной плотности дислокаций несо­ответствия на границах слоев, сформированных ступенями роста в эпитаксиальных слоях твердых растворов GaAs­1-xPx, образующих низкоразмерные структуры. Показано, что увеличение толщины слоя, образующего квантовые ямы и уменьшение толщины барьерного слоя (в пределах критической толщины слоев) приводит к повышению пластичности слоев и уменьшению концентрации дислокаций несо­ответствия.

  3. Выявлены возбужденные электронные состояния вплоть до 3-го порядка в реальных низкоразмерных структурах (MQW, СР, ГКСР) на основе GaAs1-xPx/GaAs1-yPy с напряженными и ненапряженными доменами в слоях. Адекватно идентифицированы электронные переходы в исследованных низкоразмерных структурах. Установлено, что при возбуждении ФЛ в структурах, включающих контакт СР с подложкой или СР1 с СР2, происходит фотоинжекция неравновесных носителей из широкозонной СР в более узко­зонную область гетероконтакта, электронные состояния в которой обуславливают из­лу­чательные переходы, наблюдаемые в эксперименте. Для энергий переходов вблизи краев зон (11h и 11l) в спектрах ПФЛ ГКСР при поляризации, соответствующей воз­буж­дению ФЛ в плоскости слоев СР, а излучению в перпендикулярном направлении, обна­ружены фононные повторения, связанные со “свернутыми” акустическими фононами (“folded acoustical phonons”) – TL (поперечно-продольными) и T (попе­речными) с энергиями, сравнимыми с kT. Установлено, что структурные особенности границ раздела слоев связаны с нарушениями регулярности, температурным и флуктуационным размазыванием электронных состояний и приводят к слабому отклонению от правила отбора по четности.

  4. Установлены величины отношений разрывов зон для ненапряженных доменов Qcunstr=0.45 и для напряженных доменов Qchh=0.32 и Qclh=0.43 для изученных MQW; Qchh=0.15 и Qclh=0.20 для СР; Qchh=0.15 и Qclh=0.20 для ГКСР двух одинаковых по составу СР с разными толщинами слоев и показана необходимость учета ограничен­ности СР; Qchh=0.21 и Qclh=0.27 для ГКСР со слоями отличающимся составом, толщи­ной и степенью механических напряжений составляющих CР. Показано, что уменьше­ние величины Ес от 82мэВ (для MQW в области напряженных доменов) до 34мэВ в СР, обусловлено перемешиванием Г и Х состояний в СР (слои толщиной 60Å).

Практическая значимость результатов работы состоит:

  1. В применимости полученных результатов теоретических исследований для расчетов характеристик и параметров реальных низкоразмерных структур с напряженными слоями и приборов на их основе.

  2. В возможности использования обнаруженных явлений фотоинжекции на границах контактов (подложка с низкоразмерными структурами, между сверхрешетками) и поляризации фотолюминесценции в рассмотренных ограниченных низкоразмерных структурах, отличающихся по составу и количеству периодов слоев, для улучшения параметров приборов и устройств современной электроники и оптоэлектроники и создания новых.

Положения, выносимые на защиту:

    1. Теоретический анализ поведения электронных состояний в низкоразмерных структурах и в гетероконтактах на их основе, учитывающий ограниченность структур, и приводящий к появлению в области запрещенных минизон для бесконечных СР разрешенных электронных состояний, которые описываются таммо-подобной волновой функцией, локализованной в первых двух слоях СР.

    2. Образование напряженных и ненапряженных доменов в слоях и наличие релаксации механических напряжений с преобладанием заметной плотности дислокаций несо­от­ветствия на границах слоев, сформированных ступенями роста в эпитаксиальных слоях твердых растворов GaAs­1-xPx, образующих изученные низкоразмерные структуры.

    3. Адекватность идентифицирования электронных переходов на дырочные минизоны вплоть до 3-го порядка в результате комплексного экспериментального (методами оптической спектроскопии) и теоретических исследований электронных состояний в реальных низкоразмерных структурах (MQW, СР, ГКСР) на основе GaAs1-xPx/GaAs1-yPy с напряженными и ненапряженными доменами в слоях с толщинами в пределах критической. Особенности физических процессов в рассматриваемых низкоразмерных структурах, связанные с нарушением правил отбора по четности, “свернутыми” акустическими фононами (“folded acoustical phonons”), перемешиванием Г и Х состояний и фотоинжекцией неравновесных носителей из широкозонной СР в более узкозонную область гетероконтакта.

    4. Найденные величины отношений разрывов зон для ненапряженных и напряженных доменов всех типов исследованных низкоразмерных структур (MQW, СР, ГКСР) на основе GaAs1-xPx/GaAs1-yPy и их энергетические диаграммы.
^ Апробация результатов работы. Основные результаты диссертационной работы были представлены на: Conferinţa ştiinţifică studenţească, dedicată jubileului de 50 de ani de la fondarea USM. (Chişinău, Moldova, 1996); 19th International semiconductor conference "CAS'96" (Sinaia, Romania, 1996); Colocviul Internaţional de fizică "Evrika" ediţia a.4.(Chişinău, Moldova, 1997); 10th International conference on superlattices, micro­structures and microdevices, ICSMM-10 (Lincoln, Nebraska, USA, 1997); III-ей Всеросийской конференции по физике полупроводников "Полупроводники'97" (Москва, Россия, 1997); The 24th International conference on physics of semiconductors (Jerusalem, 1998); Conferinţa corpului didactico-ştiinţific "Bilanţul activităţii ştiinţifice a USM pe anii 1996/1997" (Chişinău, Moldova, 1998); XIV International school-seminar "Spectro­scopy of molecules and crystals" (Odessa, Ukraine, 1999); 41st Electronic materials conference (Santa Barbara, USA, 1999); International Conference ICL-02 (Budapest, Hungary, 2002); 3rd International Conference on “Microelectronics and Computer Science” ICMCS-02 (Chişinău, Moldova, 2002).
Публикации. Основные результаты работы опубликованы в 21 научной работе.

Структура и объем работы. Работа состоит из введения, пяти глав, основных выводов, цитируемой литературы и 3 прило­жений. Работа содержит 168 страниц, включающие текст, 66 рисунков, 8 таблиц, 80 наименований цитируемой литературы.

^ КРАТКОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обосновывается актуальность темы исследования, формулируются цель и задачи работы, ее научная новизна, практическая значимость и основные положения, выносимые на защиту, кратко излагается содержание работы.

В первой главе представлен литературный обзор, в котором приводятся результаты проведенных экспериментальных и теоретических ис­следований электронных свойств квантово-размерных структур GaAs/GaAsP. Рассмотрен и проанализирован вопрос о подходах к определению величин разрывов зон на гетерогранице материалов образующих эти структуры. Отмечается, что интерес к исследованию низкоразмерных структур в системе GaAs/GaAs1-xPx с напряженными слоями связан с возможностью проведения фундаментальных исследований влияния деформации на физические явления, протекающие в них. Разница в постоянных кристаллических решеток в слоях, образующих квантовые структуры приводит к напряжениям сжатия или растяжения в них, что создает дополнительную степень свободы для непрерывного и независимого изменения фундаментальных параметров СР. В перспективе эти структуры могут применяться для изготовления эффективных инжекционных лазеров, модуля­ционно легированных высокоскоростных полевых транзисторов и других оптоэлектронных структур.

Технологии gas-source molecular beam epitaxy (GSMBE), metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) или chloride transport chemical vapor deposition (CTCVD) позволили получать достаточно высококачественные структуры в этой системе и проводить более глубокие экспе­риментальные исследования. Физические свойства, получаемых низкоразмерных структур в значительной мере определяются качеством слоев и состоянием гетерограниц между ними.

В литературе приводятся достаточно противоречивые данные о формировании низкоразмерных структур на основе GaAs/GaAs1-xPx, электронных состояниях в них, а также о величинах разрывов зон на гетерограницах слоев. При рассмотрении различных низкоразмерных структур на основе GaAs/GaAs1-xPx определяется от каких факторов зависят их основные характеристики и параметры, к которым относят в первую очередь энергии и структуру зон, пространственное распределение волновых функций в тонкопленочных слоях и величины разрывов зон на их границах. Совокупность этих характеристик и параметров определяет физические свойства и возможности практических применений рассматриваемой квантоворазмерной структуры. Теоретические и экспериментально полученные величины разрывов зон на гетерогранице материалов GaAs/GaAs1-xPx до сих пор обсуждаются. В литературе приводятся противоречивые данные о величинах разрывов зон, что связано с присутствием напряжений в слоях. Экспериментально исследованы спектры излучения и возбуждения фотолюминесценции; спектры отражения напря­женных одиночных квантовых ям (QW) и сверхрешеточных структур (CР). Из этих экспериментальных исследований авторы работ рассчитывали параметры Qv и Qc, позволяющие вычислить разрывы зон на границе. Получены следующие значения: Qc=0.58 (0.54; 0.52) 0.01, Qvl=0.23 (0.29; 0.32) 0.01, Qvh=0.42 (0.46; 0.48) 0.01 соответственно для х=0.15 (0.20; 0.22).

Существуют достаточно противоречивые данные теоретических расчетов электронных состояний в GaAs/GaAs1-xPx квантовых структурах. Мало внимания в работах уделено изучению свойств контакта между различающимися квантоворазмерными структурами. Однако, важным является учет ограниченности низкоразмерных структур с двух сторон и существенного влияния границ на электронный спектр. До настоящего времени в литературе не существует каких-либо работ, относящихся к этому вопросу в квантовых напряженных структурах на основе GaAs/GaAsP, а для ненапряженных сверхрешеток на основе GaAs/AlxGa1-xAs подобных публикаций мало.

На основании анализа литературных данных формулируются основные задачи исследования.

Во второй главе приводится теоретический вывод дисперсионного соотношения для электронов в СР с конечным числом периодов в приближении Кронига-Пенни, используя метод матриц переноса. На рис.1 схематически показано распределение электронного потенциала в такой системе.

Решение для волновой функции в каждом из слоев в уравнении Шредингера ищется в виде: , (1)

где ; .




Vz

V0


VN

V

А В А В А С

d1 d2 dN

z1 z2 z3 z4 z5 zN-1 z






Рис.1.




Для матрицы переноса через cлой любого типа в СР, Тl, получено выражение:

, (2)

где , позволившее получить для этого случая дисперсионное соотношение: , которое позволяет определять спектр электронных состояний и распределение волновых функций в системах, состоящих из одной СР и подложки.

Для электронов в системах, состоящих из контакта двух ограниченных СР, при выводе дисперсионного соотношения допускается, что дно ям электронного потенциала обеих СР находится на одном уровне. Тогда для i-того слоя решение уравнения Шредингера записывается в виде: . (3)

Матрицы переноса имеют вид аналогичный (2), а дисперсионное соотношение:

, (4),

где ;

; ;

, , , – компоненты матриц переноса в случае СРi, .

Полученное соотношение является общим и позволяет теоретически рассчитывать энергии разрешенных состояний, зонные диаграммы, пространственное распределение носителей как в одиночных СР, так и в сложных системах, что актуально в инженерии приборов оптоэлектроники. Проведен анализ электронных состояний в структурах с ограниченными СР и показано появление разрешенных состояний с таммо-подобной волновой функцией. Численный расчет этих функций в зависимости от ширины ям и барьеров в СР GaAs/GaAs0.76P0.24 (10 периодов) показал, что эти состояния локализованы в первых слоях СР и определяющим в их энергетическом положении является значение ширины первой ямы СР.

В третьей главе приводится описание лабораторной установки и технологии получения, обеспечивающей эпитаксиальный рост хлоридным методом тонких эпитаксиальных слоев полупроводниковых твердых растворов на основе GаАѕ1-xРx с переходным слоем не более 10Å, трех типов структур квантово-размерных образцов: множественные квантовые ямы, сверхрешетки и контакты сверхрешеток (СР1/СР2) с различным набором толщин и составов. Приводятся результаты исследования морфологии полученных слоев. Установлено, что величина d<300400Å является критической толщиной. При толщинах меньших d дислокации несоответствия в получаемых эпитаксиальных пленках, с рассогласованными параметрами решеток при оптимальных технологических режимах, в основном, можно не учитывать. Рентгеноструктурными, масс-спектроскопическими и оптическими методами контроля выявлено наличие дополнительной периодичности во всех типах структур, отсутствие диффузии фосфора из слоя в подложку и удовлетворительное качество слоев. Показывается существование релаксации механических напряжений в кристаллической решетке эпитаксиальных слоев твердых растворов, приводящей к заметной плотности дислокаций из-за несоответствия постоянных кристаллических решеток слоев в структурах, областей с различной степенью механических напряжений, определяющих плотность дислокаций несоответствия. Описаны использованные установки, принципы их работы и методики измерения оптической спектроскопии, включающие стационарную, разрешенную во времени и поляризованную фотолюминесценции, модуляционное пьезоотражение и бесконтактное электро­отра­жение, для исследования электронных состояний в низкоразмерных структурах.

В четвертой главе рассматриваются результаты экспериментальных исследований следующих структур на основе эпитаксиальных слоев твердых растворов GaAs1-xPx: тонкие слои GaAs0.97P0.03 (d~2.5мкм), GaAs0.71P0.29 (d~2.7мкм); трехслойные структуры GaAs0.75P0.25/GaAs0.97P0.03/GaAs0.75P0.25 с толщинами слоев ~0.2мкм; MQW структуры на основе GaAs0.97P0.03/GaAs0.71P0.29 с толщинами слоев 80Å/230Å и 150Å/150Å. Из спектров CER слоев “свидетелей”, получаемых одновременно с низкоразмерными структурами, уточнялись значения их ширины запрещенной зоны и составы твердых растворов. Приводятся спектры CER трехслойной структуры GaAs0.75P0.25/GaAs0.97P0.03/GaAs0.75P0.25 с толщинами слоев ~0.2мкм из которых следует удовлетворительное качество получаемых эпитаксиальных слоев и гетерограниц между ними и рассчитанные ширины запрещенной зоны (1.4578эВ и 1.712эВ) в точке Г зоны Бриллюэна для пленок обоих составов и 1.9683эВ в точке Х твердого раствора GaAs0.75P0.25.

Приводятся результаты совместного исследования CER и атомной силовой спектроскопии (AFM) из которых следует, что увеличение ширины ямы и уменьшение ширины барьера приводит к повышению пластичности слоев и уменьшению концентрации дислокаций несо­ответствия. Предлагается механизм релаксации механических напряжений в рамках модели неупорядоченной границы, согласно которой преобладают дислокации несо­ответствия на границах слоев, сформированные ступенями роста, что объясняет уменьшение концентрации дис­ло­каций несоответствия и преобладание электронных переходов, связанных с напряженными областями (доменами) на спектрах PzR в структуре MQW GaAs0.97­P0.03/GaAs0.71­P0.29 (20 периодов, 150Å/150Å) по сравнению со структурой GaAs0.97P0.03/GaAs0.71­P0.29 (80Å/230Å). На структуре MQW GaAs0.97­P0.03/GaAs0.71­P0.29 (20 периодов 80Å и 230Å) в спектрах CER и PzR наблюдались совместно оптические переходы от напряженных и ненапряженных доменов в слоях структуры.

Проводится сравнение экспериментальных результатов с проведенными теоретическими расчетами, из которого получены значения величин отношений разрывов зон: для ненапряженных доменов Qcunstr=0.45; для напряженных – Qchh=0.32, Qclh=0.43.. Приводятся рассчитанные параметры энергетических диаграмм, изученных MQW: GaAs0.97­P0.03/GaAs0.71­P0.29 20 периодов с толщинами слоев 80Å/230Å; GaAs0.97­P0.03/GaAs0.71­P0.29 20 периодов с толщинами слоев 150Å/150Å.

В пятой главе приводятся результаты экспериментального и теоретического исследования электронных состояний в сверхрешеточных структурах на основе GaAs1-xPx/ GaAs1-yPy. Определены энергии электронных переходов и параметры энергетической зонной диаграммы с помощью экспериментальных методов модуляционной оптической и люминесцентной спектроскопий, для СР GaAs0.975­P0.025(57Å) / GaAs0.76­P0.24 (56Å) 20 периодов; контактов СР, состоящие из двух СР: [GaAs0.975­P0.025(57Å)/ GaAs0.76­P0.24 (56Å) {10 периодов}] // [GaAs0.975­P0.025(28Å)/ GaAs0.76­P0.24 (28Å) {10 периодов}]; [GaAs0.7­P0.3(55Å) / GaAs0.5­P0.5(55Å){50 периодов}] // [GaAs0.975­P0.025(33Å) / GaAs0.7P0.3 (82Å){152 периода}].

В спектрах CER сверхрешеток GaAs0.975­P0.025(57Å)/GaAs0.76­P0.24(56Å) 20 периодов обнаружены энергетические электронные переходы, соответствующие краям зон 11h, 11l (первая цифра n указывает номер электронной подзоны вторая цифра m – дырочных подзон, l-легкие и h-тяжелые дырки), а также электронные переходы, связанные с другими электронными и дырочными подзонами (n или/и m > 1). Отмечено соответствие рассчитанных и экспериментальных (таблица 1) значений разрывов зон на гетерограницах СР GaAs0.975­P0.025/GaAs0.76­P0.24 (57Å/56Å) при Qchh=0.15 и Qclh=0.20, а также уменьшение величины Ес от 82мэВ (для MQW в области напряженных доменов) до 34мэВ, что может быть обусловлено перемешиванием Г и Х состояний в СР (слои толщиной 60Å).

В таблице 1 A,B,C,D,E,F,G,H,K,L,M,N соответствуют особенностям на спектрах CER, измеренных при 17.8, 78.2 и 300K. Хорошее совпадение экспериментальных и теоретических результатов позволило отнести изученные СР к первому типу. Из полученного значения Ec=34мэВ для слоев, формирующих СР (GaAs0.975P0.025/GaAs0.76P0.24), рассчитанные значения электронного сродства должны быть равны: (х=0.025)= 4.0746эВ и (х=0.24)=4.0406эВ. Особенности спектров, соответствующих нарушению правила отбора по четности, в основном, выявляются слабее и менее четко, чем для электронных переходов, где это правило выполняется. Отклонение проявляется при более высокоэнергетических переходах, более чувствительных к ним, и, видимо, связано с влиянием несовершенства границ, нарушением регулярности, температурным и флуктуационным размазыванием электронных состояний в СР. Обнаружены в спектрах CER электронные переходы в барьерных напряженных слоях (GaAs0.76P0.24) СР, связанные с запрещенными зонами, отнесенными к легким и тяжелым дыркам (Еgl и Egh) в Г и Х точках зоны Бриллюэна. Из сравнения спектров CER контакта двух одинаковых по составу СР GaAs0.975P0.025/ GaAs0.76P0.24, но с разными толщинами слоев, установлены значения Qchh=0.15 и Qclh=0.20.

Таблица 1.Энергии электронных переходов в СР GaAs0.98P0.02/ GaAs0.76P0.24 для Qchh=0.15.

Особен­ности в спектрах CER

Энергии перехо­дов в эВ




(теор.), T=17.8K

(теор.), T=78.7K

(экспер.), T=78.7K

(теор.), T=300K

A (11h)

1.5650

1.5593

1.560

1.4698

B (11l)

1.5970

1.5918

1.595

1.4998

C (12h)

1.6027

1.5971




1.5071

D (21h)

1.6180

1.6124

1.610

1.5213

E (21l)

1.6492

1.6439

1.642

1.5521

F (22h)

1.6557

1.6502

1.652

1.5586

G (13h)

1.6628

1.6575




1.5664

H (12l)

1.6945

1.6905

1.688

1.5928

K (23h)

1.7159

1.7107

1.710

1.6181

L (14h)

1.7371

1.7322

1.735

1.6385

M (22l)

1.7474

1.7436




1.6451

N (24h)

1.7862

1.7818

1.783

1.6849

O (25h)

1.8115

1.8078

1.810

1.7059

EglГ(GaAs0.76P0.24)

1.7080

1.7046

1.700

1.6021

EghГ(GaAs0.76P0.24)

1.7625

1.7593

1.760

1.6568

EglХ(GaAs0.76P0.24)

1.9195

1.9162




1.8550

EghХ(GaAs0.76P0.24)

1.9741

1.9708




1.9096

EgХ(GaAs0.76P0.24)

2.0182

2.0150




1.9537


Из исследований стационарной ФЛ и ее кинетики в СР на основе GaAs0.975P0.025/GaAs0.76P0.24 показано, что проявляются излучение из буферного слоя (Eg[x=0.025; Т=80К]1.537эВ) и электронные переходы, связанные с первыми подзонами в квантовых ямах СР, что связано с фотоинжекцией на контакте из широкозонной СР в более узкозонный буферный слой. На спектры ФЛ влияют структурные особенности границ раздела слоев и существование несвязанных макроостровков в них, с отличающимися параметрами квантовых ям в плоскости СР.

Приводятся спектры ФЛ контакта двух СР на основе GaAs0.975P0.025/GaAs0.76P0.24 с различающимися толщинами слоев, из которых следует, что наблюдение ФЛ таммо-подобных уровней на границе СР1 с СР2 (ГКСР) с достаточной точностью затруднено, так как энергетически эти уровни расположены либо очень близко над потолками электронных минизон СР (Е1 и Е2), либо непосредственно попадают в них. Построенная энергетическая диаграмма этого ГкСР при значением Qchh=0.15, определенном из количественного сравнения эксперимента с теорией, указывает на это.

Изучены спектры ПФЛ при изменении направления поляризации лучей возбуждения и излучения в СРа – GaAs0.975P0.025 (33Å) / GaAs0.7P0.3 (82Å) и СРб – GaAs0.7P0.3 (55Å)/GaAs0.5P0.5(55Å), отличающихся составом, толщиной и степенью механических напряжений в низко-размерных слоях и показано, что спектры сложных экспериментальных кривых ПФЛ могут быть разложены на элементарные полосы методами моделирования и вычитания. Это позволило определить Qchh=0.21 и Qclh=0.27 и рассчитать параметры энергетических диаграмм, изученных ГКСР. Спектры ФЛ ГКСР указывают на фотоинжекцию неравновесных носителей из СР2 в СР1. Обнаружены при поляризации, соответствующей возбуждению ФЛ в плоскости слоев СР, а излучению в перпендикулярном направлении, фононные повторения, связанные с TL (поперечно-продольными) и T (поперечными) “свернутыми” акустическими фононами (“folded acoustical phonons”).

^ ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ И РЕКОМЕНДАЦИИ

Результаты впервые проведенных теоретических и экспериментальных исследований элек­тронных состояний в низкоразмерных квантовых структурах с напряженными слоями на основе твердых раст­воров GaAs1-xPx/GaAs1-yPy, полученных модифицированным газотранспортным хлоридным методом, позволяют сделать следующие выводы и рекомендации:

  1. Выведено дисперсионное соотношение для электронов, позволяющее рассчитывать разрешенные электронные состояния и пространственное распределение волновых функций в этих состояниях как в ограниченных сверхрешетках, так и на контактах двух конечных сверхрешеток. С помощью проведенного теоретического анализа поведения электронных состояний в ограниченных сверхрешетках показано, что необходимо учитывать условия ограниченности СР, приводящие к появлению разрешенных электронных состояний типа таммовских, лежащих внутри запрещенной для бесконечной СР зоны. Существенную роль в энергетическом положении этих состояний играет ширина первой ямы у границы, а соответствующая им волновая функция локализована в первых слоях СР.

  2. Рентгеноструктурными, масс-спектроскопическими и оптическими методами контроля установлены параметры квантово-размерных структур трех типов: с набором квантовых ям (MQW); сверхрешетках (СР) и гетеропереходах на контактирующих сверхрешетках (СР1/СР2) с различным набором толщин и количества слоев в каждой с переходным слоем не более 10Å и критической толщиной напряженных слоев твердых растворов d<300400Å. Из спектров бесконтактного электроотражения (CER) определен состав сверхтонких пленок твердых растворов, образующих низкоразмерные структуры. Проведены оценки величин периодов в полученных структурах, показано отсутствие диффузии фосфора из слоя в подложку и удовлетворительное качество слоев. Обнаружена релаксация механических напряжений в кристаллической решетке эпитаксиальных слоев твердых растворов, приводящая к заметной плотности дислокаций в эпитаксиальных слоях твердых растворов GaAs­1-xPx, образующих низкоразмерные структуры.

  3. Установлено из исследований методами атомной силовой спектроскопии (“Atomic Force Microscopy”, электро- и пьезоотражения, что увеличение ширины ямы и уменьшение ширины барьера (в пределах критической толщины слоев) приводит к повышению пластичности слоев и уменьшению концентрации дислокаций несо­ответствия. Механизм релаксации механических напряжений согласно модели неупорядоченной границы с преобладанием дислокаций несо­ответствия на границах слоев, сформированных ступенями роста, объясняет причину преобладания в спектрах PzR электронных переходов, связанных с напряженными областями в слоях структуры MQW GaAs0.97P0.03/ GaAs0.71­P0.29 80Å/230Å.

  4. В спектрах CER, PzR MQW GaAs0.97­P0.03/GaAs0.71­P0.29 20 периодов с толщинами слоев 80Å/230Å и 150Å/150Å, выявлены возбужденные электронные состояния вплоть до 3-го порядка, обладающие дублетным характером, обусловленным существованием напряженных и ненапряженных доменов в слоях. Определены величины отношений разрывов зон для ненапряженных доменов Qcunstr=0.45 и для напряженных доменов Qchh=0.32 и Qclh=0.43. Обнаружены энергетические электронные переходы связанные, как с краями зон 11h, 11l, так и с высокоэнергетическими электронными состояниями (n или/и m > 1) в спектрах CER, стационарной фотолюминесценции (ФЛ), кинетики ФЛ при разных уровнях возбуждения сверхрешеток (СР) GaAs0.975­P0.025/GaAs0.76­P0.24 57Å/56Å (20 периодов). Показано хорошее соответствие теории и эксперимента для значений разрывов зон на гетерограницах СР GaAs0.975­P0.025/GaAs0.76­P0.24 (57Å/56Å) при Qchh=0.15 и Qclh=0.20, а также уменьшение величины Ес от 82мэВ (для MQW в области напряженных доменов) до 34мэВ в СР, обусловленное перемешиванием Г и Х состояний в СР (слои толщиной 60Å). Характер поведения полосы излучения, связанного с первыми подзонами, при температурном тушении ФЛ и слабое отклонение от правила отбора по четности при более высокоэнергетических переходах обусловлены структурными особенностями границ раздела слоев, нарушением регуляр-ности, температурным и флуктуационным размазыванием электронных состояний, что должно учитываться при рассмотрении физических явлений в напряженных низкоразмерных структурах на основе GaAs1-xPx/GaAs1-yPy.

  5. Теоретическими расчетами и экспериментальными исследованиями спектров CER и ФЛ гетероконтакта (ГКСР) двух одинаковых по составу СР GaAs0.975P0.025/GaAs0.76P0.24 с разными толщинами слоев 57Å/56Å - для первой СР и 28Å/28Å для второй СР по 10 периодов каждая, показана необходимость учета ограниченности СР. Значения Qchh=0.15 и Qclh=0.20 для ГКСР хорошо согласуются с величинами Qchh, Qclh для отдельной сверхрешетки GaAs0.975P0.025/GaAs0.76P0.24 и объясняют, согласно теоретическим расчетам, отсутствие проявления в спектрах ФЛ и СЕR ГКСР таммо-подобных уровней на границе СР1 с СР2. На основе исследований поляризованной фотолюминесценции (ПФЛ) ГКСР СРа – GaAs0.975P0.025 (33Å) / GaAs0.7P0.3 (82Å) и СРб – GaAs0.7P0.3 (55Å)/ GaAs0.5P0.5 (55Å), отличающихся составом, толщиной и степенью механических напряжений низко-размерных слоев в CР, рассчитаны значения относительных разрывов зон Qchh=0.21 и Qclh=0.27. Для электронных переходов 11h и 11l в спектрах ПФЛ обнаружены фононные повторения, связанные со “свернутыми” акустическими фононами (“folded acoustical phonons”) – TL (поперечно-продольными) и T (поперечными) с энергиями порядка kT, при поляризации, соответствующей возбуждению ФЛ в плоскости слоев СР, а излучению в перпендикулярном направлении.

  6. Установлено, что при возбуждении ФЛ в структурах, содержащих контакт СР с подложкой или СР1 с СР2, происходит фотоинжекция неравновесных носителей из широкозонной СР в более узкозонную область гетероконтакта, электронные состояния в которой, обуславливают излучательные переходы, наблюдаемые в эксперименте. Проявление спиновой оптической поляризации на гетероконтакте СР вместе с явлением фотоинжекции привлекают внимание с точки зрения использования в приборах оптоэлектроники и спинтроники.

  7. Полученные из сравнения экспериментальных результатов с теоретическими расчетами, значения разрывов зон Qchh и Qclh, позволили определить параметры энергетических диаграмм, изученных MQW, СР и ГКСР и отнести исследованные низкоразмерные структуры к “контра­вариантным” композиционным квантово-размерным структурам (структуры I типа).



Основные результаты диссертации опубликованы в следующих работах:

  1. A.Korotcov. Optical properties of GaAs/GaAs1-xPx superlattices. // Proceedings, 19th International semiconductor conference CAS'96, IEEE, CN96 TH8170, V2, (1996), p.331-333.

  2. А.Коротков. Об энергетическом спектре электронов в сверхрешетках GaAs/GaAsP. - Materialele conferinţei ştiinţifice studenţeşti ediţia I, Chişinău, 24-25 Aprilie, (1996), p.43.

  3. O.Gorea, A.Gheorgiţă, A.Korotcov, F.Munteanu. Magnetorezistenţa super­reţelelor GaAs/GaAs1-xPx în câmpul magnetice puternice. - Colocviul Naţional de fizică "Evrika" ediţia a.4., Chişinău, (1997), p.104-105.

  4. O.Gorea, A.Keyanu, A.Korotcov, O.Tatarinskaya. Polariton in finite and nonideal superlattices. - Abstracts, 10th International conference on superlattices, micro­structures and microdevices, ICSMM-10, Lincoln, Nebraska, 1997.

  5. О.С.Горя, А.В.Коротков, М.И.Караман. Поляризованная фотолюминес­ценция сверхрешеток GaAs/GaAsxP1-x. - Тезисы 3-й Всероссийской конфе­ренции по физике полупроводников "Полупроводники-97", Москва, 1997, с.89.

  6. O.S.Gorea, A.S.Keyanu, A.V.Korotcov, O.M.Tatarinskaya. Polariton states in finite and nonideal superlattices – Physics of low dimensional structures, V.5/6 (1998), p.195-202.

  7. N.L.Dmitruk, O.S.Gorea, A.V.Korotcov, V.R.Romaniuk, O.M.Tatarinskaya, E.F.Venger. - Comprehensive investigations of phonon-polariton mode in strained layer GaAs/GaPxAs1-x superlattices. - Abstracts, The 24th International conference on physics of semiconductors, Jerusalem, 1998, V.2, p.Th-P76.

  8. O.Gorea, A.Korotcov. Stări electronice în superstructuri finite. - Conferenţa corpului didactico-ştiinţific al USM pe anii 1996/97, Chişinău, 1998, p.85.

  9. O.Gorea, M.Cernei, A.Korotcov. Investigation of the electronic states in GaAs/ GaAsP finite superlattices. - Conferinţa naţională de fizică, Constanţa, 16-18 Septembrie, 1998.

  10. N.L.Dmitruk, O.Gorea, A.Korotcov, V.R.Romaniuk, O.Tatarinskaya. Matching formalism for surface and interface states in multiple interface heterostructures. - Abstracts, Workshop on surface and interface optics '99, Sainte-Maxine (France), 4-8 May, (1999), p.52.

  11. O.Gorea, A.Korotcov, L.Malikova, F.H.Pollak. Modulation spectroscopy study of a strained layer GaAs/GaAsP multiple quantum well structures including the determination of band offsets. - XIV International school-seminar "Spectro­scopy of molecules and crystals", Odessa, 7-12 June, (1999), p.188.

  12. N.L.Dmitruk, O.Gorea, A.Korotcov, V.R.Romaniuk, O.Tatarinskaya. Further development of theoretical methods of surface and interface states spectroscopy in multilayer heterostructures. - XIV International school-seminar "Spectro­scopy of molecules and crystals", Odessa, 7-12 June, (1999), p.190.

  13. А.В.Коротков. Электронные состояния в неидеальных сверхрешетках. - Тезисы II-ой Международной конференции "Проблемы и прикладные вопросы физики", Саранск, (1999), 130.

  14. L.Malikova, F.H.Pollak, O.Gorea, A.Korotcov. Modulation spectroscopy study of strained layer GaAs/GaAsP multiple quantum well structure. - 41st Electronic materials conference, Santa Barbara, June 30 - July 2, 1999, p.61.

  15. O.Gorea, A.Korotcov, L.Malikova, F.H.Pollak. Contactless electroreflectance and piezoreflectance study of GaAs/GaAsP multiple quantum well structures. // Proceedings, 22th International semiconductor conference CAS'99, IEEE CN 998389, V.1, (1999), p.113-116.

  16. O.Gorea, A.Korotcov, O.Tatarinskaya. Unified method for investigation of polariton and electron states in multiplayer nanostructures and nanotechnologies. – Second Euroconf. "Nanostructures and nano-technologies", Antwerpen, 21-24 Nov. 1999, p.69.

  17. L.Malikova, F.H.Pollak, O.Gorea, A.Korotcov. Modulation spectroscopy study of a strained layer GaAs/GaAsP Multiple Quantum Well structure. – Journal of Electronic Materials (JEM) Vol.29, No.11 (2000), p.1346-1350.

  18. A. Korotcov, M. Karaman, O. Tatarinskaya. Polarized luminescence of GaAs/GaAs1-xPx superlattice. – Int.Conf.ICL-02, Budapest, Hungary, 2002.- No: 46P.-p.101.

  19. O.Gorea, A.Korotcov, O. Tatarinskaya, A.Simashkevich. Band offsets in strained GaAs/GaAsP MQW and SL structures. Proceedings of the 3rd International Conference on “Microelectronics and Computer Science” ICMCS-02, ISBN 9975-9719-0-3, V.1, September 26-28, 2002, p.224-228.

  20. A.Korotcov and O.Tatarinskaya. Theoretical and experimental investigation of electron states in finite superlattice structures. – The 4th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces ISCSI-4, Karuizawa, Japan, October 21-25, 2002, P5-6.

  21. Коротков А.В., Караман М.И., Коротков В.А., Левченко С.В. Разложение сложных спектров поляризованной ФЛ гетероструктуры на основе сверхрешеток GaAs/GaP. Analele Stiintifice ale Universitatii de Stat din Moldova, ser. “Stiinte fizico-matematice”, ISBN 9975-70-154-X, Chisinau, 2002, p.70-73.



Цитированная литература

  1. L.Esaki and R.Tsu. Superlattice and negative differential conductivity in semiconductors. // IBM J.Res.Dev., V.14 (1970), p.61-65.

  2. Ж.И.Алферов. История и будущее полупроводниковых гетероструктур. // ФТП, V.32 (1998), с.3-18.

  3. А.Я.Шик. Сверхрешётки - периодические полупроводниковые струк­туры. // ФТП, V8 (1974), с.1841-1864.

  4. А.П.Силин. Сверхрешетки. // УФН, V.147 (1985), с.485-521.

  5. М.Р.Владимирова, А.В.Кавокин. Краевые электронные состояния в полупровод­никовых сверхрешетках. // ФТТ, V.37 (1995), с.2163-2188.

  6. M.Stęślicka. Tamm surface states in semiconductor superlattices. // Progress in Surface Science, V.50 (1995), p.65-76.

  7. Fred H. Pollak. Modulation spectroscopy of semiconductors and semiconductor microstructures. Handbook on semiconductors: Elsevier Science B.V., Edited by T.S.Moss V.2, Chap.10,p.527-635, 1994.



REZUMAT

al tezei A.V. Korotcov “Cercetările stărilor electronice în structurile cu dimensiuni reduse în baza GaAs/GaAsP”, prezentată pentru susţinerea gradului ştiinţific de doctor în ştiinţe fizico-matematice.


Teza este consacrată cercetării complexe prin metode experimentale (metoda spectroscopiei optice) şi teoretice a stărilor electronice în structuri reale cu dimensiuni reduse pe baza GaAs1-xPx/ GaAs1-yPy (set de gropi cuantice (MQW)), superreţele, heterocontact a două superreţele).

A fost obţinută relaţia de dispersie pentru electroni, ce permite calculul stărilor electronice permise şi distribuţia spaţială a funcţiilor de undă în aceste stări atât în superreţele finite cât şi la contactul a două superreţele finite. A fost stabilită relaxarea tensiunilor mecanice cu predominarea densităţii considerabile a dislocaţiilor de neconcordanţă la interfaţa straturilor formate de treptele de creştere. Creşterea lăţimii gropii de potenţial şi micşorarea lăţimii barierei (în limitele grosimii straturilor) duce la mărirea plasticităţii straturilor şi la micşorarea concentraţiei dislocărilor de neconcordanţă. Au fost detectate şi identificate în mod adecvat stările electronice excitate până la gradul 3 în structuri reale cu dimensiuni reduse pe baza GaAs1-xPx/ GaAs1-yPy cu domenii tensionate şi relaxate în straturi. La excitarea fotoluminescenţei în structuri are loc fotoinjectarea purtătorilor de sarcină de neechilibru din regiunea cu banda interzisă mai largă în regiunea cu banda interzisă mai îngustă, cauzând tranziţii radiante, care se observă în experienţă.

În spectrele fotoluminescenţei polarizate au fost observate replici fononice determinate de fononii acustici “restrânşi”-TL (transversale-longitudinale) şi T (transversale) pentru energiile tranziţiilor electronilor apropiate de marginile benzilor la polarizarea corespunzătoare a excitării FL în planul straturilor superreţelei la heterocontactul superreţelelor, iar a radiaţei FL în direcţia perpendiculară. Au fost determinate mărimile discontinuităţii relative a benzilor pentru domeniile relxate Qcunstr=0.45 şi Qchh=0.32 şi Qclh=0.43 pentru domeniile tensionate pentru MQW cercetate; Qchh=0.15 şi Qclh=0.20 pentru superreţele; Qchh=0.15 şi Qclh=0.20 pentru heterocontactul a două superreţele cu straturi ce se deosebesc prin compoziţie, grosime şi nivelul de tensiuni mecanice. Micşorarea Ec de la 82meV (pentru MQW în regiunea domeniilor tensionate) până la 34meV în superreţele este determinată de scindarea stărilor  şi X în superreţele (straturi cu grosimea ~60Å).


^ SUMMARY

of the thesis “Investigation of electron states in low dimensional structures based on GaAs/GaAsP” presented by A.V. Korotcov to obtain the scientific degree of Doctor in Physics and Mathematics.


This dissertation details to a complex experimental (using optical spectroscopy) and theoretical investigation of the electronic states in real low dimension structures (multi quantum wells (MQW), superlattices (SL), heterojunction of two superlattices (SLHJ)) based on GaAs1-xPx/ GaAs1-xPy.

A dispersion relation for the electrons was deduced which allowed the calculation of permitted electronic states and spatial distribution of the wave functions in these states, both in the limited superlattices as well as at the contact of two superlattices. The relaxation of the mechanical tension with the predomination of considerable discrepancy dislocation density at the interface between the layers formed by the growth stages was established. The well width increase and the barrier width decrease (within the limits of the layer’s critical thickness) increased the layer’s plasticity and decreased the discrepancy dislocation concentration. The excited electronic states up to the 3rd order of magnitude in spectra of the real low dimension structures (MQW, SL, SLHJ) based on GaAs1-xPx/GaAs1-xPy with strained and unstrained domains in the layers were revealed and identified. With photoluminescence (PL) excitation in the structures, photoinjection of nonequilibrium carries occurs from the wide bandgap SL to the narrower region of the HC stipulating the radiative transitions observed in the experiments. The phonon replica, related to the “folded acoustic phonons”) TL (transversal-longitudinal) and T (transversal) at the transition energies close to the band edges in the spectra of the polarized PL (PPL) of SLHC at the excitation polarization of the PL in the plane of the SL layer, and of the radiation in the perpendicular direction, were revealed. The values of the conduction band offset ratio (Qc=∆Ec/∆Eg) for the unstrained domain were determined (Qcunstr. =0.45) and for the strained ones (Qchh=0.32 and Qclh=0.43) of the studied MQW; Qchh=0.15 and Qclh=0.20 of SLHJ for two SLs with similar composition and with different layer thicknesses and showed the necessity of the account of the SL limitation; Qchh=0.21 and Qclh=0.27 for SLHC with the layers differing by their composition, thickness and the level of mechanical strain of the SL components. The Ec value decreased from 82eV (for MQW in the region of strained domains) up to 34eV due to mixing of Г and X states in SL (with layers having a thickness 60Å).





i-nikolaev-sovremennaya-remeslenno-suvenirnaya-industriya-i-territorialnie-brendi.html
i-normativno-pravovaya-osnova-deyatelnosti-socialnogo-pedagoga-koc-izvlecheniya-iz-dokumentov.html
i-novim-rozhdeniem.html
i-ntegrativnie-issledovaniya-v-medicine-konferenciya-provoditsya-pri-podderzhke-rossijskogo-gumanitarnogo-nauchnogo-fonda-rgnf-proekt-11-06-14119-g.html
i-o-data-network-player-avel-linkplayer2-avlp2dvdla-stranica-4.html
i-o-dementev-kaliningrad-2011.html
  • writing.bystrickaya.ru/analiz-polozheniya-detej-novoe-oruzhie-yuvenalshikov-doklad-yunisef-o-polozhenii-detej-v-rossii-peremen-k-luchshemu-net.html
  • writing.bystrickaya.ru/iskusstvo-pod-nazvaniem-lyubov.html
  • universitet.bystrickaya.ru/sterilizaciya-uchebno-metodicheskim-obedineniem-po-medicinskomu-i-farmacevticheskomu-obrazovaniyu-vuzov-rossii-v-kachestve.html
  • lesson.bystrickaya.ru/the-united-kingdom-of-great-britain-and-northern-ireland.html
  • holiday.bystrickaya.ru/o-provedenii-turnira-po-volejbolu-pamyati-yu-a-podluzhnogo.html
  • lecture.bystrickaya.ru/5-postanovka-celi-i-zadach-dissertacii-dissertaciya-mozhet-bit-predstavlena-v-vide-rukopisi-opublikovannoj-monografii.html
  • turn.bystrickaya.ru/otcheti-po-raschetu-zarabotnoj-plati-spravochnik-po-programmnim-produktam.html
  • shpargalka.bystrickaya.ru/uchenie-zapiski-instituta-socialnih-i-gumanitarnih-znanij-stranica-2.html
  • grade.bystrickaya.ru/naforum-visokietehnologiihh1-2012gmoskvaaprel2012g.html
  • studies.bystrickaya.ru/3-innovacionnie-klasteri-v-stranah-ameriki-httpwww-ved-gov-ruvnesheconompagesobzor-innov-klasteri.html
  • uchitel.bystrickaya.ru/rabochaya-programma-kursa-anglijskogo-yazika-dlya-3-klassa-obsheobrazovatelnih-uchrezhdenij-nachalnij-uroven.html
  • thesis.bystrickaya.ru/primechaniya-delo-nezelezhnih-dervishej.html
  • znaniya.bystrickaya.ru/rabochaya-programma-disciplini-osnovi-stroitelnogo-dela-napravlenie-oop-menedzhment.html
  • bukva.bystrickaya.ru/professionalnaya-prestupnost.html
  • klass.bystrickaya.ru/8-noyabrya-1929-sverdlovskij-hronograf.html
  • report.bystrickaya.ru/hural-predstavitelej-sumon-kara-haakskij.html
  • writing.bystrickaya.ru/kriminalisticheskaya-registraciya-chast-4.html
  • obrazovanie.bystrickaya.ru/programma-disciplini-istoriya-i-teoriya-literaturi-dlya-napravleniya-030600-62-zhurnalistika.html
  • desk.bystrickaya.ru/opdf02-gosudarstvennij-obrazovatelnij-standart-visshego-professionalnogo-obrazovaniya.html
  • znanie.bystrickaya.ru/avtor-mihail-samov-all-sroru-15072011-institut-samoregulirovaniya-v-ocherednoj-raz-poluchil-podderzhku-pervih-lic-gosudarstva.html
  • kolledzh.bystrickaya.ru/42-hishenie-sovershennoe-s-prichineniem-znachitelnogo-usherba-grazhdaninu-tema-ponyatie-priznaki-i-vidi-hisheniya.html
  • abstract.bystrickaya.ru/23cirkulyaciya-centralnaya-aerologicheskaya-observatoriya-rosgidromet-141700-g-dolgoprudnij-mosk-obl-pervomajskaya-ul-3-rossiya.html
  • knowledge.bystrickaya.ru/metodicheskie-ukazaniya-i-tematika-kontrolnih-rabot-po-discipline-delovoe-obshenie-dlya-studentov-specialnostej-080109-buhgalterskij-uchet-analiz-i-audit.html
  • zanyatie.bystrickaya.ru/metodicheskie-ukazaniya-mu-726-98-stranica-2.html
  • universitet.bystrickaya.ru/uchebnaya-programma-ekspluataciya-oborudovaniya-magistralnih-truboprovodov-108-chasov.html
  • university.bystrickaya.ru/filosofiya-otkroveniya-tom-1844-s-prilozheniyami-1841-42-shelling-f-v-j-stranica-10.html
  • lektsiya.bystrickaya.ru/programma-po-discipline-protokol-i-etiket-v-turizme.html
  • znanie.bystrickaya.ru/bazovaya-programma-dlya-upravlyayushih-magazinov-ustanovochnij-biznes-trening-dlya-direktorov-magazinov.html
  • universitet.bystrickaya.ru/spredotvrashenie-obrazovaniya-i-minimizaciya-othodov-programma-organizacii-obedinennih-nacij-po-okruzhayushej.html
  • exchangerate.bystrickaya.ru/42-razvitie-otech-obrazovaniya-ya-a-komenskij-yan-amos-komenskij-1592-1670-krupnejshij-pedagog-demokrat-vidayushijsya.html
  • uchitel.bystrickaya.ru/programma-vi-mezhregionalnoj-nauchno-prakticheskoj-konferencii-modernizaciya-rossii-teoriya-i-praktika.html
  • tasks.bystrickaya.ru/06092010-permskij-krajpermstat-v-2011-godu-budet-provoditsya-sploshnoe-nablyudenie-subektov-malogo-i-srednego-predprinimatelstva.html
  • studies.bystrickaya.ru/atomnoe-oruzhie-3.html
  • predmet.bystrickaya.ru/sekciya-6-priglasitelnij-bilet-i-programma-sankt-peterburg-2007-rossijskaya-akademiya-nauk-ministerstvo-nauki-i.html
  • uchit.bystrickaya.ru/svod-byudzhetnih-rashodov-strategicheskij-plan-ministerstva-obrazovaniya-i-nauki-respubliki-kazahstan-na-2010-2014.html
  • © bystrickaya.ru
    Мобильный рефератник - для мобильных людей.